中财投资网(www.161588.com)2026/5/27 12:31:44讯：

碳化硅产业近期在技术应用层面持续取得进展。环旭电子于5月27日宣布，其在先进功率半导体封装技术领域实现重要突破。该公司成功将碳化硅晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。这一设计为内绝缘功率分立器件带来了革新，封装本体即具备电气绝缘能力，同时展现出低杂散电感与极低的导通阻抗的优势。环旭电子将于2026年6月9日至11日参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026，并展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。

在下游应用端，碳化硅的渗透正在提速。新风光在近期接受机构调研时表示，公司当前阶段的混合方案中，直流-直流变换侧因频率较高（20kHz50kHz），已采用碳化硅器件，该方案兼顾了效率、发热与成本，验证效果良好。新风光进一步明确，后续第二款机型将全面采用碳化硅，以进一步提升效率、降低发热等性能。

行业供需关系方面，经历2025年的价格调整后，市场正出现新的变化。上海有色网数据显示，随着下游需求回暖，4月份6英寸碳化硅衬底价格较3月份低位有所回升，8英寸产品价格也止跌企稳。

对于产业链的长期发展图景，多家券商机构给出了自己的测算与判断。

华西证券研报分析，随着AI发展，SiC在AI相关领域的需求有明显增长，并且未来存在大量增长空间。判断到30年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，有望实现近8倍增长，其中8寸下游FAB线的大量扩产有望大幅刺激衬底与设备需求。

开源证券研报则从市场规模的角度进行了预测，预计2030年SiC市场规模将达124亿美元，AI基础设施将贡献近半数需求。

投资有风险，入市需谨慎。以上内容由AI生成，不构成投资建议。