中财投资网(www.161588.com)2026/4/27 10:02:55讯：

国投证券发布研报称，AI机柜功率密度持续飙升，800VHVDC高压直流架构是下一代AI数据中心的必然选择，SiC功率器件需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。同时，SiC在超高功率密度的封装场景及光学系统升级方面也具备优势，应用有望拓展。

国投证券主要观点如下：

AIDC供电走向800VHVDC技术架构，SiC功率器件迎来新增量

AI机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800VHVDC高压直流架构是下一代AI数据中心的必然选择。2025年5月官方宣布，数据中心正从当前的54V机架供电向800VHVDC高压直流架构过渡，目标是2027年实现该架构的规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。

SiC的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势

CoWoS等已成为GPU+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着AI芯片功率密度越来越高，SiC从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开始渗透。

SiC+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案

终端形态向“眼镜化”演进，光学系统对折射率、厚度、杂散光控制与环境稳定性要求显著提升；显示侧对高亮度与散热提出更严苛的要求。传统玻璃与树脂基材已逼近物理性能极限，难以满足下一代的核心体验要求。相比之下，碳化硅(SiC)凭借其超高折射率、高热导率与高硬度的独特材料特性，在衍射光波导技术路线上实现了代际突破，有望成为AI光学系统升级的主流方向。在其 旗舰原型机中，正式采用碳化硅基光波导架构。

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风险提示：AI落地进展不及预期；产品研发不及预期；市场开拓不及预期。