您的位置:文章正文

中银国际:算力基建驱动AI“从0→1”主线 “端云共振”主导存储和终端创新机遇

加入日期:2025/12/27 13:57:43

  中财投资网(www.161588.com)2025/12/27 13:57:43讯:

  中银国际发布研报称,展望2026年,算力基建投入有望成为驱动AI增长的逻辑主线,产业链“从0→1”环节有望涌现投资机遇。同时存储涨价或将贯穿整个2026年的时间线,4F2+CBA等技术成为发展方向;消费电子成本压力和创新机会并存,端侧AI创新产品面临“危”与“机”并存的趋势。

  中银国际主要观点如下:

  算力基建驱动AI升级主线,行业聚焦“从0→1”变革节点

  大模型推理侧Tokens需求快速增长推动CSP厂商积极提高资本开支投入算力基础设施建设。AIInfra在追求更高的算力密度、更快的互联速度、更低的互联损耗的同时对PCB、电子布、铜箔、树脂、光互联架构提出了更高的要求。该行预计英伟达Rubin和RubinUltra的Midplane/正交背板将配置高频高速树脂+HVLP铜箔+Q布的M9级PCB/CCL的解决方案,同时光互联层面也将向OCS/CPO的趋势演进。国产AI芯片也在积极提高算力和互联集群性能,同时前道先进制程和先进封装亦在积极配合扩产。

  位元产出增长有限或致存储涨价贯穿2026年全年,存储厂商转向制程升级、高层数堆栈、4F2+CBA等技术

  根据弗若斯特沙利文预估,2025~2029年全球存储产品市场规模将从2,633亿美元增长至4,071亿美元,CAGR达到约11.5%,其中云侧和端侧存储是增长最快的两个细分领域。根据TrendForce预估,2025~2026年DRAM产业资本开支将从537亿美元增长至613亿美元,YoY+14%;Nand产业资本开支将从211亿美元增长至222亿美元,YoY+5%。2026年存储位元产出增长有限,存储价格上涨趋势或贯穿2026年全年。同时,存储厂商从纯粹的产能扩张转向制程升级、高层数堆栈等新技术。中国国产存储厂商亦在积极开发4F2+CBA的技术架构以应对全球龙头厂商的技术竞争。4F2+CBA的架构变化有望为供应链带来增量变化。

  成本压力和创新机会并存,消费电子关注结构性机遇

  TrendForce预计2025、2026年存储价格上涨将驱动智能手机综合成本上涨8~10%/5~7%。存储价格上涨导致消费电子BOM成本压力增加,成本传导式涨价或影响终端产品销量。同时结构性投资机遇依然存在。一方面,苹果定价策略呈现亲民化趋势,平价款Macbook、折叠机、智能眼镜等产品有望提振果链增长动力。另一方面,豆包AI手机、夸克AI眼镜、苹果Apple Intelligence等端侧AI硬件新功能逐渐落地,有望给用户带来创新性的体验。

  主要风险

  AI需求过热引发行业泡沫。AI技术进步速度不及预期。远期供给端产能过剩引发价格下滑。技术变革导致原有产品淘汰。

编辑: 来源: