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国信证券:AI拉动需求增长 存储大周期方兴未艾

加入日期:2025/12/10 16:26:41

  中财投资网(www.161588.com)2025/12/10 16:26:41讯:

  国信证券发布研报称,存储市场存在HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM几大技术趋势,主要参与者众多。AI大模型推理拉动存储需求快速增长,根据该行测算结果,2026年AI推理对DRAM、NAND需求分别为23.0EB、593.5EB,短期供不应求,存储价格有望持续提升,存储大周期方兴未艾。

  国信证券主要观点如下:

  存储系统

  系统构成与分类。1)系统构成:AI存储系统主要分为网络端存储和本地端存储,其中网络端存储主要存放冷数据,主要由HDD和SSD存储;本地端存储主要存放热数据和温数据,主要由HBM、DRAM、本地SSD存储。2)存储分类:存储主要可以分为“易失性”的Memory和“非易失性”的Storage,其中Memory主要包括DRAM和HBM,优势为速度快;Storage主要包括SSD和HDD,优势为容量大、成本低。

  市场与技术趋势

   HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM。1)HDD:HDD即硬盘,主要通过提升面密度提升HDD容量,近期HAMR(热辅助磁记录)技术可以大幅提升单碟容量,市场格局呈现双寡头垄断,希捷科技、西部数据为主要参与者;2)SSD:SSD即固态硬盘,一种以NAND Flash为介质的存储设备,NAND堆叠层数持续增长,单元架构逐步从SLC转化为MLC、QLC,市场参与者主要为三星、海力士(包括Solidigm)、美光、闪迪、铠侠;3)DRAM:DRAM具备功耗小,集成度高,成本低等优势,逐步从DRAM迭代至SDRAM、DDR,目前头部厂商已经开始对DDR6研发,下游需求主要在手机、PC、服务器领域,主要参与者包括三星、海力士、美光;4)HBM:多层DRAM芯片堆叠,通过TSV实现垂直方向的互联,进而具有更高的存储密度和更大的带宽,目前主要应用于AI领域,主要参与者为海力士、美光、三星;5)NAND:存储单元表达的bit数持续增长,堆叠层数持续增长,下游需求主要为SSD和手机,主要参与者为三星、海力士、铠侠、美光、闪迪。

  需求测算

   AI训练、推理拉动存储需求增长。AI大模型推理拉动存储需求快速增长,根据该行测算结果,2026年AI推理对DRAM、NAND需求分别为23.0EB、593.5EB,短期供不应求,存储价格有望持续提升,存储大周期方兴未艾。

  公司梳理

  全球存储公司业务重心:三星电子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等领域市占率均较高,为全球存储龙头公司;其次为美光,产品矩阵全面,但市占率略低于三星、海力士;闪迪、铠侠聚焦于NAND、SSD领域,西部数据、希捷科技聚焦于HDD领域。

  风险提示:厂商DRAM、NAND扩产,进而导致产品价格下降风险;互联网大厂资本开支不及预期风险;AI应用活跃用户数增长不及预期风险;AI大模型方案优化,进而减少对存储需求风险等。

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